【技术实现步骤摘要】
一种误差放大器电路
本专利技术涉及集成电路技术,具体的说是涉及一种新型电流灌入/拉出的误差放大器电路。
技术介绍
误差放大器一直是开关电源中转换器的核心电路,对系统快速、精确、稳定的工作有重要影响。传统的误差放大器如图1所示,传统误差放大器包括偏置PMOS管M6、M7,输入PMOS管M1、M2,NMOS管M3、M4、M5;其中PMOS管M1与M2的源极相连构成差分对,并连接到M6管的源,M6管给运放提供尾电流;PMOS管M1和M2的栅极分别作为误差放大器正相输入端Vin1和反相输入端Vin2;NMOS管M3和M4的栅极相连,构成电流镜结构;NMOS管M5栅极与M1管漏端相连,M5管的漏端与PMOS管M7漏端相连作为误差放大器的输出端,输出电压Vout;传统的误差放大器设计成电压型,保证了环路高增益,能获得足够的相位裕度使系统稳定,但是放大器的输出电流小瞬态响应慢,且补偿网络的设计复杂。因此设计快瞬态响应、高精度的误差放大器成为目前研究的热点。本专利技术设计了一种结构新颖、高精度、高性能跨导型电流灌入/拉出误差放大器,能采样小电压输出大电流,实现系统快瞬态响应。输入级采用了高精度跨导型放大电路,主极点靠近原点,提高了放大器增益。输出级采用电流源与电流沉分别对电容C1灌入/拉出电流。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题,就是针对传统误差放大器的上述问题,提出一种误差放大器电路。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种误差放大器电路,其特征在于,包括第一跨导放大器、第二跨导放大器、第一镜像电流、第二镜像电流和第一电容C1,所述第一跨导放大器的输入端 ...
【技术保护点】
一种误差放大器电路,其特征在于,包括第一跨导放大器、第二跨导放大器、第一镜像电流、第二镜像电流和第一电容C1,所述第一跨导放大器的输入端为误差放大器电路的第一输入端Vref、输出端接第一镜像电流,所述第二跨导放大器的输入端为误差放大器电路的第二输入端Vin、输出端接第二镜像电流,第一镜像电流的输出端和第二镜像电流的输出端接第一电容C1的一端作为误差放大器电路的输出端Vea,第一电容C1的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种误差放大器电路,其特征在于,包括第一跨导放大器、第二跨导放大器、第一镜像电流、第二镜像电流和第一电容(C1),所述第一跨导放大器的输入端为误差放大器电路的第一输入端(Vref)、输出端接第一镜像电流,所述第二跨导放大器的输入端为误差放大器电路的第二输入端(Vin)、输出端接第二镜像电流,第一镜像电流的输出端和第二镜像电流的输出端的连接点与第一电容(C1)的一端连接后作为误差放大器电路的输出端(Vea),第一电容(C1)的另一端接地;所述第一跨导放大器包括第一运算放大器(AMP1)、第二电容(C2)、第一电阻(R1)和第一NMOS管(N1),所述第二跨导放大器包括第二运算放大器(AMP2)、第三运算放大器(AMP3)、第三电容(C3)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第二NMOS管(N2),所述第一镜像电流包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)和第四PMOS管(P4),所述第二镜像电流包括第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)和第六NMOS管(N6);其中,第一运算放大器(AMP1)的同向输入端为误差放大器电路的第一输入端(Vref)、反向输入端与第一电阻(R1)的一端和第一NMOS管(N1)的源极连接、输出端与第二电容(C2)的一端和第一NMOS管(N1)的栅极连接;第二运算放大器(AMP2)的同向输入端为误差放大器电路的第二输入端(Vin)、反向输入端与第四电阻(R4)的一端和第二NMOS管(N2)的源极连接、输出端与第三电容(C3)的一端和第二NMOS管(N2)的栅极连接;第二NMOS管(N2)的漏极与第二电阻(R2)的一端连接第三运算放大器(AMP3)的反向输入端,第三电阻(R3)的一端和第三NMOS管(N3)的漏极连接第三运算放大器(AMP3)的同向输入端,第三运算放大器(AMP3)的输出端连接第三NMOS管(N3)的栅极和第四NMOS管(N4)的栅极;第一PMOS管(P1)的栅极和漏极连接第一NMOS管(N1)的漏极和第二PMOS管(P2)的栅极、源极连接第三PMOS管(P3)的漏极,第三PMOS管(P3)的栅极、第四PMOS管(P4)的栅极和漏极和第二PMOS管(P2)的源极连接;第二PMOS管(P2)的漏极、第四NMOS管(N4)的漏极和第一电容(C1)的一端连接作为误差放大器电路的输出端(Vea);第三NMOS管(N3)的源极与第五NMOS管(N5)的漏极连接,第四NMOS管(N4)的源极、第五NMOS管(N5)的栅极和第六NMOS管(N6)的栅极和漏极连接;第三PMOS管(P3)的源极、第四PMOS管(P4)的源极、第二电阻(R2)的另一端、第三电阻(R3)的另一端和所有PMOS管的衬底均接电源(VDD);第一电阻(R1)的另一端、第二电容(C2)的另一端、第三电容(C3)的另一端、第四电阻(R4)的另一端、第五NMOS管(N5)的源极、第六NMOS管(N6)的源极和所有NMOS管的衬底均接地。2.根据权利要求1所述的一种误差放大器电路,其特征在于,所述第一运算放大器(AMP1)包括第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第七PMOS管(P7)、第八PMOS管(P8)、第九PMOS管(P9)、第十PMOS管(P10)、第十一PMOS管(P11)、第十二PMOS管(P12)、第十三PMOS管(P13)、第十四PMOS管(P14)、第七NMOS管(N7)、第八NMOS管(N8)、第九NMOS管(N9)、第十NMOS管(N10)、第五电阻(R5)和第一偏置电流源(Ibias1);其中,第五PMOS管(P5)的栅极连接第一运算放大器(AMP1)的同向输入端、漏极连接第七NMOS管(N7)的源极和第八NMOS管(N8)的漏极,第六PMOS管(P6)的栅极连接第一运算放大器(AMP1)的反向输入端、漏极连接第九NMOS管(N9)的漏极和第十NMOS管(N10)的源极;第七NMOS管(N7)的漏极连接第五电阻(R5)的一端、第八NMOS管(N8)的栅极和第九NMOS管(N9)的栅极,第五电阻(R5)的另一端连接第七NMOS管(N7)的栅极、第十NMOS管(N10)的栅极;第七PMOS管(P7)的栅极、第八PMOS管(P8)的栅极、第十四PMOS管(P14)的栅极和第十二PMOS管(P12)的栅极和漏极以及第一偏置电流源(Ibias1)的正极连接,第十二PMOS管(P12)的源极与第十一P...
【专利技术属性】
技术研发人员:方健,谷洪波,潘华,彭宜建,赵前利,李源,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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