一种用于Buck变换器的环路补偿补偿电路，属于电子技术领域。包括超前相位补偿电路、全差分低通滤波器电路。超前相位补偿电路产生一个零点和两个高频极点，提供超前相位补偿；所述全差分低通滤波器提供一个极点与高的低频增益。两者的输出电压在PWM比较器的输入端线性叠加，得到了三型补偿所需的电压信号：较高的低频增益与两个低频零点，从而弥补了超前相位补偿中低频增益低，稳态误差大的缺点。本发明专利技术中，超前相位补偿电路和低通滤波器均采用全差分输入输出结构，提高了电源抑制比（PSRR），能有效解决PMU中各路DC-DC变换器之间的串扰问题。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于Buck变换器的环路补偿电路，其结构包括超前相位补偿电路、全差分低通滤波器和两个NMOS管M1?1、M1?2；所述超前相位补偿电路，由第一偏置电路、零极点产生电路和电流转电压电路组成；所述第一偏置电路由第一电流偏置源IBias和NMOS管M2?17组成；第一偏置电流源IBias跨接在电源VDD和NMOS管M2?17的漏极上，NMOS管M2?17栅极与漏极短接，其源极接地电位VSS；所述零极点产生电路由六个PMOS管M2?1、M2?2、M2?5、M2?6、M2?7与M2?8、六个NMOS管M2?3、M2?4、M2?11、M2?12、M2?13和M2?14、一个电阻R2?0和一个电容C2?0组成；PMOS管M2?1的栅极输入Buck变化器的输出采样电压vfb，PMOS管M2?2的栅极输入参考电压信号vref，电阻R2?0和电容C2?0并联在PMOS管M2?1和PMOS管M2?2的源极之间；PMOS管M2?5的漏极接PMOS管M2?1的源极，PMOS管M2?6的漏极接PMOS管M2?2的源极，PMOS管M2?5和PMOS管M2?6的源极接电源VDD；PMOS管M2?7的漏极与栅极短接并与PMOS管M2?5的栅极相连，PMOS管M2?8的漏极与栅极短接并与PMOS管M2?6的栅极相连，PMOS管M2?7和PMOS管M2?8的源极接电源VDD；NMOS管M2?3的栅极接PMOS管M2?1和NMOS管M2?12的漏极，NMOS管M2?4的栅极接PMOS管M2?2和的NMOS管M2?13漏极，NMOS管M2?3的漏极接PMOS管M2?1的源极，NMOS管M2?4的漏极接PMOS管M2?2的源极，NMOS管M2?3和NMOS管M2?4的源极接地电位VSS；NMOS管M2?12、NMOS管M2?13和NMOS管M2?14的栅极接NMOS管M2?11和PMOS管M2?7的漏极，NMOS管M2?14与PMOS管M2?8共漏连接，NMOS管M2?11、NMOS管M2?12、NMOS管M2?13和NMOS管M2?14的源极接地电位VSS，NMOS管M2?11的栅极接偏置电路中NMOS管M2?17的栅极；所述电流转电压电路由两个NMOS管M2?9和M2?10与两个电阻R2?1和R2?2组成；NMOS管M2?9的栅极接PMOS管M2?1的漏极，NMOS管M2?10的栅极接PMOS管M2?2的漏极；NMOS管M2?9的漏极通过电阻R2?1接电源VDD，NMOS管M2?10的漏极通过电阻R2?2接电源VDD；NMOS管M2?9和NMOS管M2?10的源极接地电位VSS；电流转电压电路中NMOS管M2?9的漏极输出超前相位补偿电路的第一输出电压V2?1，NMOS管M2?10的漏极输出超前相位补偿电路的第二输出电压V2?2；所述全差分低通滤波器，其结构由第二偏置电路和单极点产生电路组成；所述第二偏置电路由第二电流偏置源IBias和NMOS管M3?10组成；第二偏置电流 源IBias跨接在电源VDD和NMOS管M3?10的漏极上，NMOS管M3?10栅极与漏极短接，其源极接地电位VSS；所述单极点产生电路由四个PMOS管M3?1、M3?2、M3?8和M3?9、五个NMOS管M3?3、M3?4、M3?5、M3?6和M3?7，两个电阻R3?0和R3?1，一个电容C3?0组成；PMOS管M3?1的栅极输入Buck变化器的输出采样电压vfb，PMOS管M3?2的栅极输入参考电压信号vref；PMOS管M3?1的源极通过电阻R3?0接NMOS管M3?3的漏极和PMOS管M3?9的漏极，PMOS管M3?2的源极通过电阻R3?1接NMOS管M3?4的漏极和PMOS管M3?9的漏极；NMOS管M3?3的栅极接PMOS管M3?1的漏极和NMOS管M3?5的漏极，NMOS管M3?4的栅极接PMOS管M3?2的漏极和NMOS管M3?6的漏极；PMOS管M3?8的栅极与漏极短接并连到PMOS管M3?9的栅极，PMOS管M3?8和PMOS管M3?9的源极接电源VDD；NMOS管M3?5和NMOS管M3?6的栅极接NMOS管M3?7的漏极和PMOS管M3?8的漏极，NMOS管M3?3、NMOS管M3?4、NMOS管M3?5、NMOS管M3?6和NMOS管M3?7的源极接地电位VSS；NMOS管M3?7的栅极接第二偏置电路中NMOS管M3?10的栅极；电容C3?0跨接在PMOS管M3?1和PMOS管M3?2的漏极之间，其中PMOS管M3?1的漏极输出全差分低通滤波器的第一输出电压V3?...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甄少伟，刘雨石，王俊喜，耿煜，罗萍，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。