一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜，所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能，增强太阳能电池表面的钝化效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池，包括硅片衬底（3）和设置在硅片衬底（3）上的钝化膜，其特征在于：所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底（3）正表面的致密层SiO2（4）、疏松层SiO2（5）、致密层Si3N4（1）及疏松层Si3N4（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏文文，勾宪芳，王鹏，姜利凯，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：发明
国别省市：