一种横向高压MOSFET及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压MOSFET及其制造方法。本发明专利技术的一种横向高压MOSFET，其特征在于，通过光刻和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层。本发明专利技术的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压MOSFET源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明专利技术提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明专利技术尤其适用于横向高压MOSFET。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种横向高压MOSFET，包括第一导电类型半导体衬底（1）、第二导电类型半导体漂移区（2）、第一导电类型半导体体区（3）、第一导电类型半导体降场层（4）、场氧化层（6）、栅氧化层（7）、多晶硅栅电极（8）、金属前介质（9）、第二导电类型半导体漏区（10）、第二导电类型半导体源区（11）、第一导电类型半导体体接触区（12）、源极金属（13）、漏极金属（14），所述第二导电类型半导体漂移区（2）和第一导电类型半导体体区（3）连接并分别嵌入设置在第一导电类型半导体衬底（1）的两端，第二导电类型半导体漂移区（2）和第一导电类型半导体体区（3）的上表面与第一导电类型半导体衬底（1）的上表面重合，所述第一导电类型半导体降场层（4）设置在第二导电类型半导体漂移区（2）中，所述场氧化层（6）嵌入设置在第二导电类型半导体漂移区（2）的上表面，所述第二导电类型半导体漏区（10）设置在第二导电类型半导体漂移区（2）中远离第一导电类型半导体体区（3）的端部且第二导电类型半导体漏区（10）的上表面与第二导电类型半导体漂移区（2）的上表面重合，氧化层（6）和第二导电类型半导体漏区（10）连接，所述第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）设置在第一导电类型半导体体区（3）中且第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）的上表面与第一导电类型半导体体区（3）的上表面重合，第一导电类型半导体体接触区（12）设置在第一导电类型半导体体区（3）中远离第二导电类型半导体漂移区（2）的端部，第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）连接，所述栅氧化层（7）覆盖设置在部分第二导电类型半导体源区（11）的上表面并延伸至第二导电类型半导体漂移区（2）的上表面与氧化层（6）连接，所述多晶硅栅电极（8）覆盖设置在栅氧化层（7）的上表面和部分氧化层（6）的上表面，金属前介质（9）覆盖设置在部分第二导电类型半导体源区（11）的上表面、多晶硅栅电极（8）的上表面、氧化层（6）的上表面和部分第二导电类型半导体漏区（10）的上表面，所述源极金属（13）覆盖设置在第一导电类型半导体体接触区（12）的上表面、第二导电类型半导体源区（11）的部分上表面并与金属前介质（9）连接，在金属前介质（9）的上表面延伸形成场板，所述漏极金属（14）覆盖在第二导电类型半导体漏区（10）的部分上表面并与与金属前介质（9）连接，在金属前介质（9）的上表面延伸形成场板，其特征在于，还包括第二导电类型半导体重掺杂层（5），所述第二导电类型半导体重掺杂层（5）设置在第一导电类型半导体降场层（4）和场氧化层（6）之间，第二导电类型半导体重掺杂层（5）的上表面与场氧化层（6）的下表面连接、下表面靠近第二导电类型半导体漏区（10）部分与第一导电类型半导体降场层（4）的上表面连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，李燕妃，周锌，吴文杰，许琬，陈涛，胡利志，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：