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非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法技术

技术编号:9382722 阅读:92 留言:0更新日期:2013-11-28 00:57
非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,涉及一种金属纳米晶存储器。1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列,形成非平面台阶状的结构;2)将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后,采用干法氧化方法,在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层;3)将步骤2)得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层,采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒;4)采用电子束蒸发工艺在步骤3)获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层,最后蒸镀上电极和下电极,获得非平面金属纳米晶多位存储器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈松岩亓东锋刘翰辉李成
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

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