沟槽MOSFET器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法，制作方法包括：提供包含有外延层的基底；在所述外延层中形成沟槽；通过沉积与刻蚀在所述沟槽中依次形成第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、第二栅极；通过离子注入在沟槽两侧形成阱区与源极区；形成接触区沟槽式接触区以及金属插塞。通过制作分离的第一栅极与第二栅极，使第一栅极下部与外延层之间的第一绝缘层具有较大的厚度，第二栅极与阱区及源极区之间的第二绝缘层具有较小的厚度,并将这两个分离的栅极通过金属插塞相连接，可以使器件在获得较低阈值电压的同时，还具有非常好的耐高压性能；而且器件的性能稳定,制备工艺较简单，具有较低的制备成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种沟槽MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底包括具有第一导电类型的本体层以及位于所述本体层上具有第一导电类型的外延层；对所述外延层进行刻蚀形成沟槽；在所述外延层上依次沉积第一绝缘层与第一多晶硅层，所述第一多晶硅层填满所述沟槽；刻蚀所述第一多晶硅层，在所述沟槽内形成第一栅极；刻蚀裸露在外的所述第一绝缘层，并依次沉积第二绝缘层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填满所述沟槽；刻蚀所述第二多晶硅层，在所述沟槽内形成第二栅极；刻蚀裸露在外的所述第二绝缘层，暴露出所述外延层，进行第一次离子注入，形成具有第二导电类型的阱区；在所述阱区的表面进行第二次离子注入形成具有第一导电类型的源极区；在所述源极区及所述沟槽上沉积第三绝缘层；刻蚀形成沟槽式栅极接触区与沟槽式源极接触区，所述沟槽式栅极接触区穿过所述第三绝缘层、第二栅极、第二绝缘层并延伸至所述第一栅极中，所述沟槽式源极接触区穿过所述第三绝缘层、源极区并延伸至所述阱区中；在所述栅极接触区与源极接触区中填充金属层，形成金属插塞。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童亮，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：