【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超级结晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一掺杂离子；在所述半导体衬底内形成若干相邻的沟槽，所述沟槽的侧壁相对于半导体衬底表面倾斜，且所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸，相邻沟槽之间的半导体衬底形成第一半导体层；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成第二半导体层，所述第二半导体层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反；在所述第二半导体层表面形成填充满沟槽的介质层；在形成介质层之后，在第一半导体层表面形成栅极结构；在相邻栅极结构之间的第二半导体层、以及部分第一半导体层内形成体区，所述体区内具有第二掺杂离子，且部分体区与栅极结构重叠；在所述栅极结构两侧的体区内形成源区，所述源区内具有第一掺杂离子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宪周，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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