半导体结构及其相应的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其相应的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供一基底；基底上形成相互隔离的多个柱区，柱区与柱区之间的间隔分为第一开口与第二开口，第二开口的宽度大于第一开口的宽度；在柱区表面、第一开口和第二开口内沉积一填充层，填充层在第二开口内形成台阶，填充层填满第一开口；刻蚀填充层，使第二开口内的填充层被完全去除，第一开口内的填充层未被完全去除，以在掺杂时，无需采用光刻掩膜板，便可只在需要掺杂的第二开口区形成掺杂区，而在不需掺杂的第一开口区内没有掺杂区形成，避免了一次光刻工艺，从而减化半导体器件的制造工艺流程，有效地降低半导体器件的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底；所述基底上形成相互隔离的多个柱区，所述柱区与柱区之间的间隔分为第一开口与第二开口，第二开口的宽度大于第一开口的宽度；在所述柱区表面、第一开口和第二开口内沉积一填充层，所述填充层在第二开口内形成台阶，所述填充层填满第一开口；刻蚀所述填充层，使所述第二开口内的填充层被完全去除，所述第一开口内的填充层未被完全去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠平，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：