一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法技术

本发明专利技术公开一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型及其建模方法，该建模方法包括如下步骤：输入TSV制造工艺信息；依照实际生产的TSV互连结构，将垂直高度分为几段，计算每段或每层中各个材料的阻抗；由制造工艺偏差所引入的相同介质层阻抗偏差，可通过将高度分段细化，单独计算各段阻抗值获得，将计算后的各段阻抗连接构成RCGL电路模型；计算相邻TSV构成的双端口RCGL电路间的噪声传输函数表达式，本发明专利技术将模型细化为不同高度段，可有效用于TSV故障模型的建立，经验证，本发明专利技术具有较高的准确度，并且建模快速，有着很好的可扩展性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅通孔三维耦合串扰噪声模型，其特征在于：该串扰噪声模型根据双线传输线电磁场耦合模型，将TSV以及相邻TSV间提供传输通路的硅衬底分割为多个各自独立的阻抗单元，相互连接构成RCGL电路模型，相邻TSV耦合对之间形成一组可计算串扰值的双端口串扰模型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振阳，王琴，谢憬，毛志刚，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：