一种SOI_MOSFET的热阻提取方法技术

本发明专利技术提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明专利技术提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种SOI?MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：a)设计一种器件，所述器件的栅结构的两端（G1）和（G2）都引出连线；b)在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；c)在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；d)将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入步骤b）所得到的温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卜建辉，李莹，毕津顺，李书振，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：