一种低温制备石墨烯薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种低温制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括如下步骤：1)金属基底上制备类金刚石（DLC）薄膜；2)在非氧化气氛中，一定温度下处理步骤1)所得覆有DLC薄膜的金属基底，DLC薄膜石墨化并在金属催化作用下形成石墨烯。该方法创新性的使用DLC作为石墨烯生长的前驱体，降低了石墨烯的制备温度，并可以通过在DLC制备过程中采用掩模板轻松实现石墨烯薄膜的图形化制备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低温制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.在金属基底上沉积一层类金刚石DLC薄膜；b.将步骤a所得的覆有DLC薄膜的金属基底置于非氧化性气氛中，升温至300～500℃，保温1～200分钟，DLC薄膜在高温下发生石墨化并在金属基底催化下形成石墨烯，在非氧化性气氛中降温至室温，得到覆于金属基底上的石墨烯薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨连乔，王浪，吴行阳，张建华，陈伟，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：