光接收元件及其制造方法技术

技术编号：9360688 阅读：149 留言：0更新日期：2013-11-21 06:54

本发明专利技术的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明专利技术的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。