光接收元件及其制造方法技术

技术编号:9360688 阅读:147 留言:0更新日期:2013-11-21 06:54
本发明专利技术的目的是提供一种光电二极管等,该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明专利技术的光电二极管(10)包括:缓冲层(2),其设置为与InP衬底(1)的顶部相邻并与之接触;和吸收层(3),其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对,其中第一半导体层(3a)和第二半导体层(3b)构成一对,第一半导体层(3a)具有0.73eV或更小的带隙能量,第二半导体层(3b)具有比第一半导体层(3a)的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层(3a)和第二半导体层(3b)形成应变补偿量子阱结构,并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:秋田胜史石塚贵司藤井慧永井阳一稻田博史猪口康博
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社
类型:
国别省市:

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