偏移电极TFT结构制造技术

本发明专利技术大致上关于偏移电极TFT及该偏移电极TFT的制造方法。该偏移电极TFT为一种TFT，其中一电极，为源极或是漏极，围绕另一电极。栅极电极仍位于源极电极与漏极电极两者的下方。藉由重新设计TFT，相较于常规的底部栅极TFT或顶部栅极TFT，将电压从源极电极转移至漏极电极所需要的电压较小。偏移电极TFT结构不仅可应用于硅基TFT，而是还可应用于透明TFT，所述透明TFT包括金属氧化物与金属氮氧化物，所述金属氧化物例如氧化锌或IGZO，所述金属氮氧化物例如ZnON。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·叶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：