薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制制造成本并且大幅改善电流驱动力的薄膜晶体管。通过热处理，被钛电极（65）夺取氧的IGZO层（45）成为低电阻区域（40b），未被夺取氧的IGZO层（45）作为高电阻区域（40a）残留。在该状态下，当对栅极电极（20）施加栅极电压时，接近与高电阻区域（40a）的边界的低电阻区域（40b）的电子分别向钛电极（65）侧移动。其结果，低电阻区域（40b）的长度变短，相反地，高电阻区域（40a）的长度变长相应的量。但是，电沟道长度（Le）变得比作为曝光装置的分辨率极限的源极/漏极间空间（Lch）短，电流驱动力变大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：北角英人，加藤纯男，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：