单相半导体电力变换器的软开关拓扑结构制造技术

本发明专利技术揭示了一种单相半导体电力变换器的软开关拓扑结构。其技术特点是在传统单相硬开关电力变换器的基础上引入了辅助谐振单元，将其接入硬开关单相H桥中，组成软开关半导体电力变换器，利用该改进后电力变换器对输入侧直流电压源的输入信号进行DC-DC或DC-AC变换，继而再滤波后输出至负载。该辅助谐振单元可通过外加或集成的开关功率器件及内部二极管实现对电力变换器的改良。应用本发明专利技术技术方案，较之于使用传统单相硬开关电力变换器，通过引入辅助谐振单元，大幅提高了电力变换的效率，且能有效抑制电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
单相半导体电力变换器的软开关拓扑结构，涉及输入侧直流电压源?Ed、硬开关单相H桥、滤波器及负载，所述输入侧直流电压源Ed的输入信号经由软开关半导体电力变换器DC?DC或DC?AC变换输至滤波器，并经由滤波器滤除高频谐波分量输至负载，其特征在于：所述软开关拓扑结构为在硬开关单相H桥的端子A、B、C、N之间所设的辅助谐振单元，其中端子A为功率开关器件T1发射极与功率开关器件T3集电极之间的接点，端子B为功率开关器件T2发射极与功率开关器件T4集电极之间的接点，端子C为功率开关器件T3发射极与功率开关器件T4发射极之间的接点，端子N为断开自端子C并与输入侧直流电压源Ed负极相连的接点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚明，魏仕桂，陈双，陈国呈，顾红兵，周勤利，
申请(专利权)人：江苏斯达工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：