半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：支撑层(160)；在所述支撑层上且包括第一部分和第二部分的第一电极层(155)，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄；发光结构(140)，其包括n型半导体层(110)、p型半导体层(130)和在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间且设置在所述第一电极层上的有源层(120)；在所述第一电极层的所述第二部分上且在所述第一电极层和所述p型半导体层之间的金属基导电层(151)；在所述n型半导体层上的第二电极层(170)；和具有通过蚀刻所述发光结构的外壁形成的沟槽的沟道区域(145)，其中所述第一电极层(155)的所述第一部分接触所述p型半导体层的底表面，其中所述金属基导电层(151)的内部部分(151B)接触所述p型半导体层的底表面，其中所述第一电极层(155)包括反射材料，其中所述n型半导体层(110)包括InGaN层和AlGaN层中的至少之一，所述p型半导体层(130)包括AlGaN层和InAlGaN层中的至少之一，并且所述有源层(120)包括InGaN层、AlGaN层和GaN层中的至少之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：