一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，包括:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;背面沉积碱腐蚀阻挡层;在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;碱腐蚀去除背面BSF窗口处的硼注入层;在硅片前表面沉积一层薄的扩散过滤层;双面磷扩散同时形成BSF和FSF；去除背面的碱腐蚀阻挡层和前表面的扩散过滤层;硼离子注入激活;制备前表面减反层和背面钝化层;制备背面发射区电极和BSF电极;烧结实现电极的欧姆接触。本发明专利技术在工艺上得到了简化，性能上也得到了提升，对于双发射极背结背接触电池的产业化前景具有很大的裨益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括:步骤101:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;步骤102:背面沉积碱腐蚀阻挡层;步骤103:在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;步骤104:碱腐蚀去除背面BSF窗口处的硼注入层;步骤105:在硅片前表面沉积一层薄的扩散过滤层;步骤106:双面磷扩散同时形成BSF和FSF；步骤107:去除背面的碱腐蚀阻挡层和前表面的扩散过滤层;步骤108:硼离子注入激活;步骤109:制备前表面减反层和背面钝化层;步骤110:制备背面发射区电极和BSF电极;步骤111:烧结实现电极的欧姆接触，完成晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾锐，邢钊，陈晨，张巍，张代生，金智，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：