一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明专利技术所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定间距的凹槽，所述阳极电极填充在凹槽内。本发明专利技术的有益效果为，降低了生成碳化硅肖特基势垒二极管工艺的难度，提高了器件的性能和成品率，同时由于具有P+层，高压时能产生电导调制效应，从而具有大的抗浪涌能力。本发明专利技术尤其适用于碳化硅肖特基势垒二极管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极（1）、N+衬底（2）、N?漂移区（3）、P+层（4）和阳极电极（5），其特征在于，所述P+层（4）上设置有多个固定间距的凹槽（6），所述阳极电极（5）填充在凹槽（6）内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓小川，李轩，王向东，文译，饶成元，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：