【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：磯部敦生，高野圭恵，荒井康行，寺澤郁子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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