【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超势垒整流器，其特征在于，包括：一半导体衬底，包含一底部衬底和底部衬底之上的一外延层，其中，在外延层的顶部形成有一本体区，以及在本体区顶部形成有一掺杂区；形成在外延层中并且在底部和侧壁内衬有栅极氧化层的栅极沟槽和形成在栅极沟槽内的控制栅极，栅极沟槽向下贯穿所述掺杂区和所述本体区直至其底部延伸至本体区下方的外延层中；贯穿所述掺杂区并向下延伸至本体区内的接触孔，和植入在所述接触孔底部周围的本体接触区；覆盖在所述外延层之上并与所述掺杂区保持电性接触的一阳极金属层，所述接触孔内设置有金属栓塞；以及覆盖在所述底部衬底的底面的一阴极金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈建，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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