电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法技术

技术编号:9357632 阅读:76 留言:0更新日期:2013-11-21 00:54
一种电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法。所述电感的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成金属层;在所述金属层上形成掩膜层,所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口,所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸;沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层,至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层,以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层;去除所述掩膜层。本发明专利技术提高了电感在交流电路各频率中的品质因数,电感品质因数的峰值更大,自共振频率更大,包括所形成电感的集成无源器件的性能更好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电感的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成金属层;在所述金属层上形成掩膜层,所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口,所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸;沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层,至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层,以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层;去除所述掩膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黎坡
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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