【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种先蚀后封三维系统级芯片倒装封装的工艺方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀微铜层步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形;步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层;步骤六、贴光阻膜作业在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形;步骤八、电镀高导电金属线路层在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上高导电金属线路层,形成相应的基岛和引脚;步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤十、环氧树脂塑封在金属基板背面的金属线路层表面利用环氧树脂材料进行塑封保护;步骤十一、环氧树脂表面研磨在完成环氧树脂塑封后进行环 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:梁志忠,梁新夫,王亚琴,王孙艳,章春燕,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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