先蚀后封三维系统级芯片正装封装结构及工艺方法技术方案

本发明专利技术涉及一种先蚀后封三维系统级芯片正装封装结构及其工艺方法，所述结构包括基岛和引脚，在所述基岛的正面和背面分别设置有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片正面分别与引脚正面和背面之间用金属线相连接，在所述引脚正面设置有导电柱子，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及第一芯片、第二芯片、金属线和导电柱子外均包封有塑封料，在所述导电柱子露出塑封料的表面镀有抗氧化层。本发明专利技术能够解决传统金属引线框或有机多层线路基板本身无法埋入芯片以及需要更高細線寬度與更細小間距而限制整个封装功能集成度的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种先蚀后封三维系统级芯片正装封装的工艺方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀微铜层步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀微铜层的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层；步骤六、贴光阻膜作业在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤八、电镀高导电金属线路层在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上高导电金属线路层，形成相应的基岛和引脚；步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十、环氧树脂塑封在金属基板背面的金属线路层表面利用环氧树脂材料进行塑封保护；步骤十一、环氧树脂表面研磨在完成环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；步骤十二、贴光阻膜作业在完成步骤十一的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域图形；步骤十四、化学蚀刻将步骤十三中金属基板正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤十五、贴光阻膜作业在完成步骤十四的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十六、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十五完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形；步骤十七、电镀金属柱子在步骤十六中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属柱子；步骤十八、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十九、涂覆粘结物质在步骤十八的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质；步骤二十、装片在步骤十九的导电或不导电物质上植入第一芯片；步骤二十一、金属线键合在第一芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；步骤二十二、包封将步骤二十一中的金属基板正面采用塑封料进行塑封；步骤二十三、环氧树脂表面研磨在完成步骤二十二的环氧树脂塑封后进行环氧树脂表面研磨；步骤二十四、电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂在完成步骤二十三后的金属基板表面裸露在外的金属进行电镀抗氧化金属层或被覆抗氧化剂；步骤二十五、涂覆粘结物质在步骤二十四的基岛背面涂覆导电或不导电粘结物质；步骤二十六、装片在步骤二十五的导电或不导电粘结物质上植入第二芯片；步骤二十七、金属线键合在第二芯片正面与引脚背面之间进行键合金属线作业；步骤二十八、包封将步骤二十七中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；步骤二十九、切割成品将步骤二十八完成包封的半成品进行切割作业，制得先蚀后封三维系统级芯片正装封装结构。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，梁新夫，王亚琴，王孙艳，章春燕，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：