一种加快光电耦合器工作速度的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种加快光电耦合器工作速度的电路，包括：光电耦合器E1，电阻R1，电阻R3、电阻器R2和三极管V1。电阻R1与三极管V1的基极连接,电阻R2与三极管V1的集电极连接，三极管V1的发射极与光电耦合器E1的输入端连接，电阻R3与光电耦合器E1的输出端连接。所有组成都通过印制导线连接。其中，三极管V1能够改善光电耦合器中发光二极管的响应速度。三极管V1能够缩短光电耦合器中发光二极管的反向电流的漂移时间，故能达到加快光电耦合器工作速度的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种加快光电耦合器工作速度的电路，包括：光电耦合器E1，电阻R1，电阻R3，其特征在于还包括：电阻器R2和三极管V1；电阻R1一端与外部输入INPUT端连接，电阻R1另一端与三极管V1的基极连接；电阻R2一端与电源VCC1连接，电阻R2另一端与三极管V1的集电极连接；三极管V1的发射极与光电耦合器E1的第一输入端连接；光电耦合器E1的第二输入端与地GND1连接;?光电耦合器E1的第一输出端与地GND2连接;?光电耦合器E1的第二输出端与外部输出OUTPUT端连接;电阻R3的一端与电源VCC2连接，电阻R3另一端与光电耦合器E1的第二输出端连接；所有组成均通过印制导线连接；三极管V1处于放大工作区，光电耦合器E1中的发光二极管在输入电压撤销后，由于存在反向漂移电流而导致发光二极管不能迅速变为熄灭状态，随着反向漂移电流的减小而逐渐变弱，三极管V1缩短光电耦合器E1中发光二极管的反向电流的漂移时间，电阻R2为输入上拉电阻，限制光电耦合器E1的发光二极管的电流；电阻R3为输出上拉电阻，限制光电耦合器E1的输出三极管的电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥适，郭鑫，袁昊，
申请(专利权)人：北京机械设备研究所，
类型：实用新型
国别省市：