以棒状WO3为空穴传输层的CdSe量子点LED装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种以棒状WO3为空穴传输层的CdSe量子点LED装置，包括自下而上依次叠加的阳极、空穴传输层、胶体量子点层、电子传输层和阴极；所述空穴传输层为纳米棒状结构的WO3薄膜；所述胶体量子点层为CdSe/ZnS量子点层。本实用新型专利技术采用纳米棒状结构的WO3薄膜可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高了QLED的发光效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种以棒状WO3为空穴传输层的CdSe量子点LED装置，其特征在于，包括自下而上依次叠加的阳极（1）、空穴传输层（2）、胶体量子点层（3）、电子传输层（4）和阴极（5）；所述空穴传输层（2）为纳米棒状结构的WO3薄膜；所述胶体量子点层（3）为CdSe/ZnS量子点层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学诚，郭利，覃欣欣，李耀刚，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：实用新型
国别省市：