用于荧光检测的双结深光电二极管制造技术

用于荧光检测的双结深光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于荧光检测的双结深光电二极管,其特征在于：包括由半导体硅P型衬底（1）和N型阱（2）构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入（4）和所述N型阱（2）构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底（1）为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入（4）为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底（1）通过P型源漏注入（5）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（6）引出，所述N型阱（2）通过N型源漏注入（3）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（8）引出，所述P型源漏注入（4）通过接触孔（7）引出，所述金属接触孔（7、8、9）位于半导体绝缘层（9）中，所述深结PN结光电二极管和所述浅结PN结光电二极管共用所述N型阱（2）构成双结深PN结光电二极管的阴极，所述深结PN结光电二极管阳极和所述浅结PN结光电二极管阳极并联构成双结深PN结光电二极管的阳极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施朝霞，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：实用新型
国别省市：