【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同，在所述外延层内从上至下依次形成有源区和阱区，所述阱区的导电类型与所述衬底的导电类型相反，所述源区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，所述源区的上表面与所述外延层的上表面处于同一平面；所述外延层划分为元胞区和终端区，所述元胞区位于中心区域，在所述终端区内形成有栅极引线区，所述栅极引线区包围元胞区，所述终端区包围栅极引线区和元胞区，在所述元胞区内和终端区内分别形成有沟槽，所述沟槽的深度大于所述源区和阱区的厚度之和，所述终端区的沟槽为至少两个环绕所述元胞区的封闭的环形沟槽，所述环形沟槽彼此不相连接；在所述沟槽内形成有第一介质层和栅极；在所述外延层上形成有第二介质层，所述第二介质层内形成有接触孔，所述接触孔包括栅极接触孔、源极接触孔和截止环接触孔；在所述第二介质层表面形成有栅极金属层、源极金属层和截止环金属层，所述栅极金属层通过栅极接触孔与所述栅极相连，所述源极金属层通过源极接触孔与所述源区相连，所述截止环通过截止环接触孔与所述截止环金属层相连；以及在所述衬底之下形成...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱超群，钟树理，陈宇，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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