【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，在衬底表面上依次生长低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化镓层、接触层，在其特征在于，在生长量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层时分为两个生长阶段进行，分别控制每个生长阶段所用载气气氛和/或载气流量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方方，
申请(专利权)人：广州金鉴检测科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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