【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管装置，包含：至少一发光二极管单元，该发光二极管单元包含：一基板；一电性耦合层，位于所述基板上，该电性耦合层材质系为III族氮化物；一并接型磊晶结构，位于所述电性耦合层上；及一中间层，位于所述电性耦合层与所述并接型磊晶结构之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢怡安，许进恭，施雅萱，
申请(专利权)人：华夏光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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