【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间；以及多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康晋锋，张飞飞，高滨，陈冰，刘力锋，刘晓彦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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