【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成伪栅极堆叠结构，其中伪栅极堆叠结构包含碳基材料；在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；刻蚀去除伪栅极堆叠结构，直至暴露衬底，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，张珂珂，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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