显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及液晶显示装置等显示装置，特别涉及能够通过使在基板的像素电路部分中的有机膜形成的接触孔的直径减小来提高透射率的显示装置。
技术介绍
在显示装置例如液晶显示装置等中，设置呈矩阵状形成有像素电极以及薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)等的阵列基板(或称为TFT基板)、和与该阵列基板相对并在与阵列基板的像素电极对应的位置形成有滤色器等的对置基板，在阵列基板与对置基板之间夹持有液晶。并且，通过按每个像素控制液晶分子对光的透射率来形成图像。近年来，在液晶显示装置中，如“专利文献1”的记载，已知提高像素部的开口率的尝试。“专利文献1”所公开的液晶显示装置，在为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔，具有填埋形成像素电极所产生的凹部的填埋部。由此，可抑制有机钝化膜的接触孔部的液晶分子的取向混乱，不会使液晶显示装置的像素部的开口率下降，防止了漏光。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9-304793号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述那样的液晶显示装置中，存在为了填埋凹部而必须增加光刻或各向异性蚀刻的工序的问题。鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，在具有为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔的液晶显示装置那样的显示装置中，不会使液晶显示装置那样的显示装置的像素部的开口率下降地防止漏光，并且提高有机绝缘膜的生产率，提高接触孔周围的加工精度。用于解决问题的手段能够从多个角度把握本专利技术，从一个角度获得的代表性的本专利技术的液晶显示装置为如下所述。另外，从其他角度获得的本专利技术的液晶显示装置，通过以下所述的实施专利技术的方式的说明等可以明确。本申请所公开的专利技术中，若简单说明代表性专利技术的概要，则如下述这样。(1)一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的像素内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，在所述有机钝化膜上形成对置电极，覆盖所述对置电极地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜上形成像素电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔与所述源电极导通。(2)一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的驱动电路内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，覆盖所述有机钝化膜地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜上形成布线，所述布线在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式涉及的显示装置的等效电路的电路图。图2是表示一个像素电路的结构的一例的俯视图。图3是实施例1的像素电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。图4A是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4B是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4C是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4D是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4E是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。。图4F是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4G是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图4H是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图5是表示3所示的薄膜晶体管的结构的俯视图。图6是表示薄膜晶体管的比较例的剖面图。图7A是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图7B是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图7C是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图7D是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图7E是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图7F是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图8是表示图6所示的薄膜晶体管的结构的俯视图。图9是实施例2的像素电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。图10A是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10B是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10C是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10D是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10E是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10F是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10G是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图10H是表示图9所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图11是实施例3的像素电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。图12A是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12B是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12C是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12D是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12E是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12F是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图12G是表示图11所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图13是实施例4的驱动电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。图14A是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14B是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14C是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14D是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14E是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14F是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图14G是表示图13所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图15是实施例5的像素电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。图16A是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16B是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16C是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16D是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16E是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16F是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16G是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。图16H是表示图15所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。符号的说明CL公共信号线，CT公共电极，CH连接孔，CONT接触孔，DL图像信号线，GL栅极信号线，PX像素电极，TFT薄膜晶体管，DT漏电极，BK突起，GI栅极绝缘膜，GI2层间绝缘膜，GT栅电极，PAS无机钝化膜，IN有机钝化膜，UPS上部绝缘膜，SC半导体膜，SCN接触层，ST源电极，SL源极布线，SUB玻璃基板，TH通孔，PR阻挡膜，WI上部布线层。具体实施方式以下使用实施例对本专利技术的内容进行详细说明。此外，在用于说明实施例的全部附图中，具有相同功能的构件标注相同的符号，省略其重复说明。另外，以下的实施例并不是限定本专利技术的权利要求的范围的解释。另外，以下说明的实施例，是在IPS方式(In-Plane-SwitchingMode：平面转换模式)的液晶表示装置中适用本专利技术的情况下的例子，在其他方式的液晶显示装置、有机EL显示装置等其他种类的显示装置中也能够适用本专利技术。【本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的像素内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，在所述有机钝化膜上形成对置电极，覆盖所述对置电极地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜之上形成像素电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通。

【技术特征摘要】
2012.05.09 JP 2012-1076941.一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的像素内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，在所述有机钝化膜上形成对置电极，覆盖所述对置电极地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜之上形成像素电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通，在俯视下，所述源电极的宽度小于所述突起的宽度的最大值。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻挡膜上，所述TFT为如下结构：在所述阻挡膜上形成半导体层，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上与所述半导体层对应的部分形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上与所述半导体层对应的部分隔开距离地形成漏电极和源电极，所述漏电极以及源电极经由在所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜形成的通孔而与所述半导体层导通，所述突起形成于从所述TFT延伸的层间绝缘膜上。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT为如下结构：在玻璃基板上形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜，在所述栅电极的上方，在所述栅极绝缘膜上形成漏电极和源电极，所述突起形成于从所述TFT延伸的所述栅极绝缘膜上。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻挡膜上，所述TFT为如下结构：在所述阻挡膜上形成漏电极和源电极，在所述阻挡膜以及所述漏电极和所述源电极上形成半导体层，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上与所述半导体层对应的部分形成栅电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述栅极绝缘膜、所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通，所述突起直接形成于所述阻挡膜上。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻挡膜上，所述TFT为如下结构：在所述阻挡膜上形成半导体层，在所述半导体层上隔着间隔地形成漏电极和源电极，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极，所述突起直接形成于所述阻挡膜上。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT为如下结构：在玻璃基板上形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜，在所述栅电极的上方，在所述栅极绝缘膜上形成漏电极和源电极，在所述栅电极的上方覆盖所述栅极绝缘膜以及所述漏电极的一部分和所述源电极的一部分地形成半导体层。7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述突起由有机材料形成。8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述突起为圆锥台或棱锥台。9.根据权利要求8所述的显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：石垣利昌，高桥文雄，栗山英树，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器东，
类型：发明
国别省市：