【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构；以金属探针作为可以移动的栅极；其特征还包括：通过改变探针的位置来改变俘获中心所俘获的电子数目；通过在平行于半导体材料表面的平面扫描金属探针，获得栅极电流随金属探针位置变化的图像；确定电子俘获中心的分布位置和密度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋，王振中，李超，
申请(专利权)人：无锡派腾微纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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