一种半导体薄膜生长装置及其生长方法制造方法及图纸

技术编号:9334587 阅读:135 留言:0更新日期:2013-11-13 13:09
本发明专利技术公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法,该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备,其包括:载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统,这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体;且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶,安装在一个惰性气体控制柜里,其中源瓶安装在恒温槽里,通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室,并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室,并通过打开或关闭旁路控制生长室气源,以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体薄膜生长设备,其包括:载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统,这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体;且每条管道可独立的打开或关闭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘兴昉刘斌郑柳董林刘胜北闫果果孙国胜曾一平
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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