一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器制造技术

技术编号:9330585 阅读:181 留言:0更新日期:2013-11-08 02:57
本实用新型专利技术公开了一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器,设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压电压,直流偏压单元输出端分别连接内嵌肖特基结的薄膜体声波谐振器的上、下电极,直流偏压单元与薄膜体声波谐振器集成在一个硅片CELL单元内。偏压装置施加一定偏压给薄膜体声波谐振器,改变肖特基势垒二极管电容和电导,从而补偿FBAR本身谐振频率的温飘。对薄膜体声波谐振器由于温度引起的频率偏差实现了有效甚至无偏补偿,可以克服由于温度变化引起的各种系统误差的问题,提高了FBAR在无线通信和传感器方面应用的可靠性。采用CMOS集成技术实现单芯片的温补薄膜体声波谐振器,结构简单,实现方式灵活,应用广泛。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单芯片集成温度补偿的薄膜体声波谐振器,其特征在于,设置一个直流偏压单元为薄膜体声波谐振器提供偏压电压,所述的直流偏压单元输出端分别连接内嵌肖特基结的薄膜体声波谐振器的上、下电极,所述直流偏压单元与薄膜体声波谐振器集成在一个硅片CELL单元内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:董树荣卞晓磊胡娜娜郭维
申请(专利权)人:江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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