半导体器件制造技术

本实用新型专利技术的名称为半导体器件。一种半导体器件具有衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱或柱形凸起被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一密封剂被沉积在所述半导体小片周围。第一互连结构被形成在所述半导体小片和第一密封剂上。第二密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上。所述第二密封剂能够被形成在所述半导体小片的一部分和所述衬底的侧表面上。所述第二密封剂的一部分被去除以暴露所述衬底和第一互连结构。第二互连结构被形成在所述第二密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。分立半导体器件能够被形成在所述互连结构上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层；形成在所述衬底上的多个引线柱；安装到所述引线柱之间的所述衬底上的半导体小片；形成在所述半导体小片上的第一互连结构；第一密封剂，所述第一密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上；以及第二互连结构，所述第二互连结构被形成在所述第一密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，陈康，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：实用新型
国别省市：