横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层采用AlGaN；缓冲层采用GaN，该缓冲层中设有按周期性排列的掩蔽层条，每两个掩蔽层条之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。本发明专利技术与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件，自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（4）、钝化层（8）和保护层（9）；势垒层（4）上的两端分别为源极（6）和漏极（7），钝化层（8）位于源极（6）和漏极（7）之间的势垒层（4）上，该钝化层（8）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（5），其特征在于：所述的势垒层（4）采用AlGaN半导体材料；所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料，该缓冲层（2）中设有按周期性排列的掩蔽层条（3），每两个掩蔽层条（3）之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝跃，马晓华，汤国平，陈伟伟，赵胜雷，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：