记录头线圈结构制造技术

一种记录头包括写入磁极和线圈结构，该线圈结构相对于写入磁极不对称且被配置成在主磁极的后侧生成的磁通量比在主磁极的前侧生成的磁通量更多。

【技术实现步骤摘要】
记录头线圈结构
技术介绍
具有位于数据存储介质（即一个或多个盘）上的一个或多个滑块的盘驱动器是使用磁场来写入和读取数据的数据存储系统的示例。滑块可携带换能器，该换能器将信息写入盘的数据表面并从盘的数据表面读取信息。在一个示例中，换能器包括记录头或写入头，用于生成排列磁介质的磁矩以表示期望的数据位的磁场。磁记录头包括纵向和垂直的记录技术。垂直记录是一种形式的磁记录，其中表示数据位的磁矩垂直于记录层的表面定向。垂直磁写入头通常包括主磁极和返回磁极，该主磁极和返回磁极被分离以形成写入间隙并从位于空气承载表面（ABS）处的极尖延伸到后间隙区。包括线圈以响应于穿过线圈传导的电流生成穿过主磁极和返回磁极的磁信号。主磁极尖聚焦磁通密度，使得磁场与磁介质相互作用以在向上或向下的方向上使其磁矩定向。
技术实现思路
本文中描述和要求保护的实现方式提供了一种记录头，包括写入磁极和线圈结构，该线圈结构相对于写入磁极不对称且被配置成在主磁极的后侧生成的磁通量比在主磁极的前侧生成的磁通量更多。提供本概述以便以简化形式介绍在以下具体实施方式中进一步描述的对概念的选择。本
技术实现思路
并不旨在标识所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护主题的范围。通过阅读以下详细描述，这些以及各个其他特征和优点将是显而易见的。附图简述图1示出在执行器组件的端部实现的示例写入磁极结构示意框图。图2示出记录头的两个部分横截面配置的框图。图3示出包括不对称线圈结构的记录头的实现。图4示出包括不对称线圈结构的记录头的可选实现。图5示出包括不对称线圈结构的记录头的另一个可选实现。图6示出包括不对称线圈结构的记录头的另一个可选实现。图7示出记录头中的磁通密度。图8示出用于记录头的线圈结构的各种可选的自顶向下的横截面图。具体实施方式随着增加面密度的进一步推动，需要垂直记录写入器来在磁介质的记录层中生成大的写入磁场和磁场梯度。然而，来自记录写入器的主磁极的写入磁场通常受到头材料的最大磁矩和磁极几何形状的限制。为了进一步增加垂直磁记录的磁道密度，主磁极的后沿的宽度需要变得更小以便能够写入窄磁道。利用垂直磁记录实现增加的面密度生长需要对于给定的磁道宽度生成具有大磁场梯度的大写入磁场的快速写入器。可通过调谐空气承载表面（ABS）附近的主磁极的几何形状，诸如ABS的张角以及周围屏蔽、后屏蔽、侧屏蔽等，来控制介质平面中的写入磁场和有效磁场梯度。通过小心地控制主磁极和后屏蔽之间的交互来实现最大梯度。具体地，后屏蔽磁化方向在控制主磁极切换期间的动态写入磁场梯度和静态写入磁场梯度方面是有用的。在记录头的一个实现中，主磁极磁场驱动后屏蔽磁化的动态性。在这种被动实现中，在部分切换期间，很难通过围绕主磁极的线圈的安培磁场驱动主磁极。在磁通量到达后屏蔽并且开始后屏蔽中磁化反转之前有有限的时间延迟。然而，仅在后屏蔽的磁化反转几乎完成之后实现最大写入磁场梯度。本文中公开的记录头的实现包括包括附加的线圈匝数，以驱动后返回磁极和后屏蔽，从而减少由于磁通量传播到后屏蔽的时间延迟以及由于后屏蔽的磁化反转引起的相偏移。提供这种附加的线圈匝数还导致更好的动态写入磁场梯度。具体地，记录头包括不对称线圈结构，这种不对称线圈结构增加了后屏蔽中的磁通密度。图1示出在执行器组件的端部实现的示例记录头结构的示意框图100。具体地，图1示出盘102的实现的平面图，其中换能器头104位于执行器组件106的一端上。盘102在操作期间围绕盘的旋转轴108旋转。此外，盘102包括外直径110和内直径112，在两者之间是许多个数据磁道114，在附图中以圆形虚线表示。数据磁道114基本上是圆形的，并且由规则间隔的图案化位形成。可通过利用执行器组件106向数据磁道114上的图案化位写入信息或从其读取信息，该执行器组件106在数据磁道114试图围绕毗邻盘102定位的执行器旋转轴116操作期间旋转。安装在执行器组件106上远离执行器旋转轴116的一端上的换能器头104在盘操作期间紧邻盘102的表面之上飞行。换能器头104包括记录头，该记录头包括用于从磁道114读取数据的读取磁极和用于将数据写入磁道114的写入磁极。在换能器头的一个实现中，位于换能器头114上的记录头包括配置成将数据写入磁介质的主磁极。主磁极具有在磁介质附近形成空气轴承表面（ABS）的前沿。此外，记录头还包括具有与ABS平行的表面的后屏蔽。换能器头包括线圈结构，该线圈结构在主磁极的边缘处和接近ABS的后屏蔽中生成磁荷密度。主磁极中和接近ABS的后屏蔽中的磁荷密度在记录介质中产生磁场，该磁场的角度不同于与ABS垂直的角度。在一个实现中，记录头的线圈结构被配置成在主磁极的边缘和接近ABS的后屏蔽处生成荷密度，使得介质中的磁场以比垂直于ABS更小的角度取向。具体地，介质中的磁场梯度的角度向后屏蔽偏转并且离开与ABS垂直的方向。图1还示出记录头120的部分横截面配置的展开图。相对于记录介质的ABS130示出记录头120。具体地，记录头120包括主磁极132（也称为写入磁极）和后屏蔽结构134。利用不对称线圈结构激励记录头，以致使在主磁极132和后屏蔽结构134中生成磁通密度。记录头120还示出主磁极132中的磁通方向136垂直于ABS130并且沿ABS130的方向。穿过后屏蔽134的磁通密度的方向134平行于ABS130，并且它远离主磁极132地流动。磁化136导致主磁极132的边缘上的正磁荷密度140。类似地，磁化138导致后屏蔽134表面处的负磁荷密度142。磁化136和138及磁荷密度140和142导致在磁介质中生成具有磁场角度144的磁场。在本实现中，记录头120的线圈结构被配置成生成磁化136和138及磁荷密度140和142，使得磁介质中的磁场144的角度倾斜成远离与ABS130垂直并且朝向后屏蔽134的方向。换言之，磁场角度144基本上不垂直于ABS130。图1中的公开的记录头120包括不对称线圈结构，该不对称线圈结构具有后线圈结构150和前线圈结构152。线圈结构150和152在一种或多种特性方面是彼此不同的。具体地，后线圈结构150和前线圈结构152的特性彼此不同，使得所得到的磁化136和138及所得到的磁荷密度140和142导致与垂直于记录介质的ABS130的磁场角度相比，磁场角度144倾斜。例如，在一个实现中，后线圈结构150所包括的线圈匝数多于前线圈结构152中的线圈匝数。在可选实现中，后线圈结构150的线圈携带的电流大于前线圈结构152中的线圈所携带的电流。图2示出记录头的两个部分横截面配置的框图。具体地，图2示出记录头202的第一配置，其中主磁极的后侧和前侧上的线圈结构是基本对称的。与之相比，在记录头204的第二配置中，主磁极的前侧和后侧上的其线圈结构的至少一个特性的不对称性在于主磁极的后侧上的线圈结构具有至少一个与主磁极的前侧上的线圈结构的相应特性相比不同的特性。例如，在一个实现中，后线圈结构中的线圈匝数不同于前线圈结构中的线圈匝数。或者，后线圈结构中流动的电流与前线圈结构中流动的电流相比不同。具体地，记录头202的第一配置包括主磁极212和接近ABS216的后屏蔽结构214。记录头202还包括后线圈结构220和前线圈结构222。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：线圈装置，所述线圈装置相对于主磁极不对称且被配置成在主磁极的一侧生成的磁通量比在主磁极的另一侧生成的磁通量更多。

【技术特征摘要】
2012.03.13 US 13/419,0171.一种用于记录头的设备，包括：线圈装置，所述线圈装置相对于主磁极不对称且被配置成在主磁极的一侧生成的磁通量比在主磁极的另一侧生成的磁通量更多，其中所述线圈装置包括绕所述主磁极缠绕的第一螺旋线圈，所述第一螺旋线圈沿着与所述设备的空气承载表面大致平行的方向，所述第一螺旋线圈包括弯曲远离所述空气承载表面的弯曲的线圈线。2.如权利要求1所述的设备，还包括附连至返回屏蔽的返回磁极，其中所述线圈装置被配置成增加返回屏蔽中的磁通密度。3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述线圈装置包括：定位在主磁极和返回磁极之间的第一线圈结构；以及定位在主磁极的与第一线圈结构相反的一侧上的第二线圈结构。4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，第一线圈结构中的线圈匝数大于第二线圈结构中的线圈匝数。5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，第一线圈结构被配置成携带与第二线圈结构中携带的电流相比安培数较高的电流。6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，第一线圈结构包括绕后通孔缠绕的扁平线圈，所述后通孔连接主磁极和返回磁极。7.如权利要求3所述的设备，其特征在于，第一线圈结构包括至少一个绕返回磁极缠绕的第二螺旋线圈。8.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述线圈装置被配置成增加返回磁极中的磁通密度。9.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一线圈结构包括与第一线圈结构中的另一个线圈平行的至少一个线圈。10.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述线圈装置被配置成在返回屏蔽中生成磁通量，以改变接近主磁极的空气承载表面处的磁化角度。11.一种用于记录头的设备，包括：定位在写入磁极和返回磁极之间的第一线圈结构；以及定位在写入磁极的与第一线圈结构相反的一侧上的第二线圈结构；其中第一线圈结构中的线圈匝数大于第二线圈结构中的线圈匝数，其中所述设备包括绕所述写入磁极缠绕的第一螺旋线圈，所述第一螺旋线圈沿着与所述记录头的空气承载表面大致平行的方向，所述第一螺旋线圈包括弯曲远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·R·麦洛克，C·瑞，J·薛，E·林维勒，J·M·沃夫，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：