一种HIT太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，特别是一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材，在N型硅片基材的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜，在P型重掺杂非晶硅膜上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极，透明导电膜为P型透明导电膜。P型透明导电膜为Ga、As、N共掺杂的ZnO透明导电膜。本实用新型专利技术的有益效果是：该结构HIT太阳能电池可以在保证光的透过率及高的导电率的同时降低载流子在P型重掺杂非晶硅膜与透明导电膜之间的势垒，提高电池的短路电流密度，从而提高电池的效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材（1），在N型硅片基材（1）的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜（2），在P型重掺杂非晶硅膜（2）上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极（3），其特征是：所述的透明导电膜为P型透明导电膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆中丹，崔艳峰，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：