半导体装置制造方法及图纸

技术编号:9308229 阅读:113 留言:0更新日期:2013-10-31 05:33
本实用新型专利技术提供半导体装置,其通过分散排列多个小面积的化合物半导体元件来实现大容量化。该半导体装置的特征在于具有:第一芯片垫;第二芯片垫,其与第一芯片垫一体地形成;第一功率用半导体元件,其接合于第一芯片垫的主面;第二功率用半导体元件,其接合于第二芯片垫的主面;以及散热板,其有隔着具有散热性的绝缘膜固定于第二芯片垫的另一主面的主面,该半导体装置具有以散热板的另一主面露出的方式使第一芯片垫、第二芯片垫、第一功率用半导体元件、第二功率用半导体元件、绝缘膜和散热板密封在树脂密封体中的结构,第一功率用半导体元件的工作温度比第二功率用半导体元件的工作温度的上限高,第一功率用半导体元件被分散地排列了多个。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于具有:第一芯片垫;第二芯片垫,其与所述第一芯片垫一体地形成;第一功率用半导体元件,其接合于所述第一芯片垫的主面;第二功率用半导体元件,其接合于所述第二芯片垫的主面;以及散热板,其有隔着具有散热性的绝缘膜固定于所述第二芯片垫的另一主面的主面,该半导体装置具有以所述散热板的另一主面露出的方式使所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第一功率用半导体元件、所述第二功率用半导体元件、所述绝缘膜和所述散热板密封在树脂密封体中的结构,所述第一功率用半导体元件的工作温度比所述第二功率用半导体元件的工作温度的上限高,所述第一功率用半导体元件被分散地排列了多个。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:田中敦彦
申请(专利权)人:三垦电气株式会社
类型:实用新型
国别省市:

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