用以间隔件双图案微影的自我对准与非闪存选择栅字线制造技术

本发明专利技术揭露一种用以双图案微影的方法。在一实施例中，揭露有通过于光阻图案的周缘设置间隔件图案而开始形成于多个核心字线的任一侧上的一对选择栅字线。剥除该光阻图案而留下该间隔件图案。于该间隔件图案的一部分上设置修正掩模。蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的间隔件图案的部分。移除该修正掩模，其中，该间隔件图案的第一剩余部分定义多个核心字线。设置垫掩模以致于该垫掩模及该间隔件图案的第二剩余部分于该多个核心字线的任一侧上定义选择栅字线。最后，使用该垫掩模及该间隔件图案的该第一、第二剩余部分而蚀刻过至少一图案转移层，以蚀刻该选择栅字线及该多个核心字线至多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：TS·陈，S·房，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：
国别省市：