线性均衡器制造技术

本发明专利技术公开了一种线性均衡器，包括：由第一、二MOS晶体管组成差分输入对管；第一、二MOS晶体管的漏极都分别依次串联有第一电阻和第一电感，第一电阻和第一电感要求能产生一个高于通道带宽的零点；两端分别和第一、二MOS晶体管的源极相连的第二电阻；由源极和漏极短接的MOS晶体管组成第三MOS电容和第四MOS电容，第三MOS电容的栅极和第四MOS电容的栅极分别和第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极之一相连，第二电阻和第三MOS电容和第四MOS电容要求能产生另一个高于通道带宽的零点。本发明专利技术能用于高速串行传输中，能形成两个零点，实现低频小增益、高频大增益，能较大提升高频增益，提高均衡性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种线性均衡器，其特征在于，包括：由第一MOS晶体管和第二MOS晶体管组成差分输入对管，所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的栅极分别为一对差分输入信号的输入端，所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的漏极分别为一对差分输出信号的输出端，所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极分别连接一电流源；所述第一MOS晶体管的漏极依次串联有第一电阻和第一电感，所述第二MOS晶体管的漏极也依次串联有第一电阻和第一电感；所述第一电阻和所述第一电感要求能产生一个高于通道带宽的零点；第二电阻，该第二电阻的两端分别和所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的源极相连；第三MOS电容和第四MOS电容，所述第三MOS电容和所述第四MOS电容分别由一源极和漏极短接的MOS晶体管组成，所述第三MOS电容的栅极和所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极中的一个相连，所述第四MOS电容的栅极和所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极中的另一个相连；所述第三MOS电容和所述第四MOS电容的另一电极连接在一起；所述第二电阻和所述第三MOS电容和所述第四MOS电容要求能产生另一个高于通道带宽的零点。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红卫，刘国军，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：