【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种功率器件，包括：第一传导类型的半导体衬底；第一传导类型场阻止（FS）层，设置在所述半导体衬底上，所述FS层具有杂质密度比所述半导体衬底的杂质密度更高的区段；第一传导类型外延层的漂移区，设置在所述FS层上且具有的杂质密度低于所述半导体衬底的杂质密度；第二传导类型基极区，设置在所述漂移区的上部中；第一传导类型发射极区，设置在所述第二传导类型基极区的上部中；栅电极，位于栅绝缘层上，其中所述栅绝缘层在所述漂移区、所述第二传导类型基极区、以及所述第一传导类型发射极区的上方；以及第二传导类型集电极区，设置在所述半导体衬底下方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李奎炫，李世炅，尹斗锡，姜秀贤，崔嵘澈，
申请(专利权)人：快捷韩国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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