绝缘栅双极型晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及电子器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明专利技术中，在绝缘栅双极型晶体管IGBT中，第一掺杂区作为超结，沟道区与第二掺杂区形成内置的快速恢复二极管，结合了超结MOS和逆导IGBT的优点，可以有效减小IGBT的饱和压降，获得更高的功率密度，同时在模块封装中省去了快速恢复二极管，可以有效降低生产成本。缓冲区层的存在，降低了对衬底厚度的需求，利用缓冲区层来加快载流子的复合过程，可以有效降低IGBT产品的拖尾时间，降低产品的关断损耗，提高产品的截止频率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，在第一半导体类型的衬底的一侧，在该衬底与第二半导体类型的沟道区之间，存在第二半导体类型的第一掺杂区，其中，该第一掺杂区的掺杂浓度小于所述沟道区的掺杂浓度；在所述衬底的另一侧，在该衬底与集电极金属电极之间，存在第一半导体类型的第二掺杂区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴多武，陶凯，孙军，时以成，
申请(专利权)人：上海北车永电电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：