【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种存储装置，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个垂直晶体管，分别电耦合至相应的字线与埋藏位线，其中所述字线沿着第一方向延伸，而所述埋藏位线沿着第二方向延伸；以及至少一阱电压提取区，沿着所述第二方向穿越所述存储阵列，将所述存储阵列区隔成第一次存储阵列区及第二次存储阵列区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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