【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
基于微机电系统(MEMS)金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构，其自毁方法是：在芯片的制造过程中，进行表面金属化之间，将金属桥换能元结构作为某一层金属布线层的一部分加工在芯片内部，芯片遇到异常状况需要自毁时，起爆金属桥环能元，金属桥爆发，破坏其上方及下方的局部的芯片结构，实现芯片自毁。其结构特征是：在芯片的制造过程中，在最后一层导线制作工序完成后，在其表面淀积绝缘层，之后在绝缘层表面溅射金属、并光刻形成金属桥换能元结构，换能元桥区对应需要被自毁芯片核心区上方。之后在金属桥层表面淀积钝化层，对金属桥层进行保护。最后进行表面金属化工艺形成芯片表面焊盘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵越，娄文忠，宋荣昌，丁旭冉，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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