衬底通孔及其形成方法技术

一种器件包括半导体衬底和金属氧化物半导体(MOS)晶体管。MOS晶体管包括位于半导体衬底上方的栅电极和位于栅电极旁边的源极/漏极区。源极/漏极接触塞包括下部和位于下部上方的上部，其中源极/漏极接触塞设置在源极/漏极区上方并且与其电连接。栅极接触塞设置在栅电极上方并且与其电连接，其中栅极接触塞的顶面与源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平。衬底通孔(TSV)延伸进半导体衬底。TSV的顶面与栅极接触塞和栅电极之间的界面基本上齐平。本发明专利技术提供衬底通孔及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种器件，包括：半导体衬底；金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：栅电极，位于所述半导体衬底上方；和源极/漏极区，位于所述栅电极的旁边；源极/漏极接触塞，包括下部和位于所述下部上方的上部，其中，所述源极/漏极接触塞位于所述源极/漏极区上方并与所述源极/漏极区电连接；栅极接触塞，位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接，所述栅极接触塞的顶面与所述源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平；以及衬底通孔(TSV)，延伸进所述半导体衬底，所述TSV的顶面与所述栅极接触塞和所述栅电极之间的界面基本上齐平。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，王宇洋，詹森博，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：