防止铜扩散的方法技术

一种防止铜扩散的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。本发明专利技术防止铜扩散的方法通过惰性气体等离子体对形成于半导体衬底上介质层内的铜互连线表面进行轰击，使铜互连线内部的应力释放，细化铜互连线内部晶粒的大小，防止铜互连线中铜原子发生应力迁移；另外，通过惰性气体等离子体对铜互连线进行轰击还可以使铜互连线的表面非晶化，使铜原子不易沿晶面方向发生迁移，提高了包含所述铜互连线的器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种防止铜扩散的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：