【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低介电材料层；在所述低介电材料层内形成通孔或沟槽；在所述通孔或沟槽内填充金属材料；对所述金属材料两侧的所述低介电材料层进行热处理；对热处理后的所述低介电材料层进行氮气处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，张世谋，胡敏达，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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