【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；在所述开口侧壁和底部形成衬垫层，且所述衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在所述衬垫层表面形成绝缘层，且所述绝缘层与所述硬掩膜层表面齐平；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋化龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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